080903-微电子学与固体电子学
085400-电子信息
081203-计算机应用技术

宽禁带半导体器件；新型存储器
纳米加工
集成电路工程；电子与通信工程

2002-04--2005-06   中国科学院微电子研究所   博士（微电子学与固体电子学）
1999-09--2002-03   北京科技大学   学士（应用物理）、硕士（材料物理）

   

2011-02~2012-02,巴塞罗那自治大学, 访问学者
2010-03~2010-07,国家自然科学基金委员会信息学部四处, 兼聘
2005-07~现在, 中国科学院微电子研究所, 助理研究员、副研究员、研究员
2002-04~2005-06,中国科学院微电子研究所, 博士（微电子学与固体电子学）
1999-09~2002-03,北京科技大学, 学士（应用物理）、硕士（材料物理）

2017-06-30-今,第三代半导体青年创新促进委员会, 会员
2016-02-29-今,中国电子学会青年科学家俱乐部会员, 会员
2015-10-10-今,全国半导体设备与材料标准化技术委员会微光刻工作组, 委员
2015-03-04-2016-05-26,中国科学院大学, 岗位教授
2012-01-01-今,IEEE, Member
2008-01-01-今,北京电子学会, 委员秘书

   

（1） 新型存储器件及集成研究团队, 部委级, 2018
（2） 氧化物阻变存储器机理与性能调控, 二等奖, 国家级, 2016
（3） 阻变存储器机理与性能调控, 一等奖, 省级, 2015
（4） 阻变存储器及集成的基础研究, 二等奖, 省级, 2014
（5） 高精度微纳结构掩模制造核心技术, 二等奖, 国家级, 2013
（6） 微纳结构“自上而下”制备核心技术与集成应用, 一等奖, 省级, 2010
（7） 微电子所“十佳”先进工作者, , 研究所（学校）, 2009
（8） 微电子所“十佳”先进工作者, , 研究所（学校）, 2006

（ 1 ） 一种自选通阻变存储器单元及其制备方法, 2017, 第 4 作者, 专利号: PCT/CN2014/095080； US15/525,200

（ 2 ） 一种三端原子开关器件, 2017, 第 4 作者, 专利号: PCT/CN2014/095081； US15/539,608

（ 3 ） 基于易失性阈值转变器件的神经元电路, 2017, 第 5 作者, 专利号: 201711116379.2

（ 4 ） 对RRAM存储器耐久性参数进行测试的方法, 2017, 第 1 作者, 专利号: ZL201410377423.5

（ 5 ） 一种对磁多畴态进行调控的方法, 2017, 第 2 作者, 专利号: US14/360,906

（ 6 ） 一种阻变存储器的制造方法和阻变存储器, 2017, 第 1 作者, 专利号: 201710552498.6

（ 7 ） 一种金刚石基底场效应晶体管制备方法, 2017, 第 1 作者, 专利号: 201710500617.3

（ 8 ） 一种金刚石材料沟道导特性优化方法, 2017, 第 1 作者, 专利号: 201710500219.1

（ 9 ） 一种金刚石材料表面空穴浓度提高方法, 2017, 第 1 作者, 专利号: 201710501699.3

（ 10 ） 一种氧化镓基底场效应晶体管及其制备方法, 2017, 第 1 作者, 专利号: 201710501101.0

（ 11 ） 一种对磁多畴态进行调控的方法, 2017, 第 2 作者, 专利号: ZL201410089942.1

（ 12 ） 阻变存储器及其制备方法, 2017, 第 3 作者, 专利号: 201710387583.1

（ 13 ） 阻变存储器及其制备方法, 2017, 第 3 作者, 专利号: PCT/CN2017/086084

（ 14 ） 一种提高RRAM均一性的方法及RRAM器件, 2017, 第 1 作者, 专利号: 201710276623.5

（ 15 ） 阻变存储器的存储状态的调控方法, 2017, 第 1 作者, 专利号: 201710264856.3

（ 16 ） 磁性纳米线器件、其制作方法与磁性纳米线的构筑方法, 2017, 第 1 作者, 专利号: 201710264857.8

（ 17 ） 纳米线的构筑方法及数据存储方法, 2017, 第 1 作者, 专利号: 201710261469.4

（ 18 ） 一种提高氧化镓材料导热性的方法, 2017, 第 1 作者, 专利号: 201710264499.0

（ 19 ） 基于氧化镓的结势垒肖特基二极管及其制备方法, 2017, 第 1 作者, 专利号: 201710264497.1

（ 20 ） 种实现多值存储的阻变存储器的制备方法, 2017, 第 4 作者, 专利号: 201710167921.0

（ 21 ） 导电桥半导体器件及其制备方法, 2017, 第 5 作者, 专利号: 201710115553.5

（ 22 ） 导电桥半导体器件及其制备方法, 2017, 第 5 作者, 专利号: PCT/CN2017/075141

（ 23 ） 三端原子开关器件及其制备方法, 2017, 第 4 作者, 专利号: ZL201410828155.4

（ 24 ） 基于过渡金属氧化物的选择器及其制备方法, 2017, 第 4 作者, 专利号: 201710098496.4

（ 25 ） 基于过渡金属氧化物的选择器及其制备方法, 2017, 第 4 作者, 专利号: PCT/CN2017/074401

（ 26 ） 一种制备高存储密度多值纳米晶存储器的方法, 2017, 第 4 作者, 专利号: ZL201410222013.3

（ 27 ） 一种对RRAM器件的脉冲参数进行测试的电路, 2017, 第 1 作者, 专利号: ZL201310491719.5

（ 28 ） 电子束光刻对准标记在芯片上的布局, 2017, 第 5 作者, 专利号: ZL201410103327.1

（ 29 ） 一种三维高密度电阻转变存储器的制备方法, 2017, 第 4 作者, 专利号: ZL201410557993.2

（ 30 ） 一种降低阻变存储器电铸电压的方法, 2017, 第 1 作者, 专利号: ZL201410222652.X

（ 31 ） 阻变存储器及其制造方法, 2015, 第 1 作者, 专利号: ZL201110075379.9

（ 32 ） 对RRAM存储器耐久性参数进行测试的方法, 2014, 第 1 作者, 专利号: 201410377423.5

（ 33 ）  一种对RRAM存储器保持时间参数进行测试的方法, 2014, 第 1 作者, 专利号: 201410377375.X

（ 34 ） 一种降低阻变存储器电铸电压的方法, 2014, 第 1 作者, 专利号: 201410222652.X

（ 35 ） 一种纳米尺度非挥发性阻变存储器单元及其制备方法, 2013, 第 1 作者, 专利号: ZL201010574384.X

（ 36 ） 一种对RRAM器件的脉冲参数进行测试的电路, 2013, 第 1 作者, 专利号: 201310491719.5

（ 37 ） 一种对RRAM存储器脉冲参数进行测试的方法, 2013, 第 1 作者, 专利号: 201310474111.1

（ 38 ） 一种纳米电子器件及其制作方法, 2011, 第 1 作者, 专利号: ZL200910077523.5

（ 39 ） 多功能离子束溅射设备, 2011, 第 1 作者, 专利号: ZL 200910083499.6

（ 40 ） 非挥发性电阻转变存储器及其制备方法, 2010, 第 1 作者, 专利号: 201010574352.X

（ 41 ） 多功能离子束溅射与刻蚀及原位物性分析系统, 2010, 第 1 作者, 专利号: ZL201010574358.7

（ 42 ） 二元过渡族金属氧化物非挥发电阻转变型存储器, 2010, 第 3 作者, 专利号: ZL200710304220.3

（ 43 ） 一种增强光学掩模分辨率及其制造高分辨率光学掩模的方法, 2010, 第 1 作者, 专利号: 201010145304.9

（ 44 ） 一种硅基侧栅单电子晶体管及其制作方法, 2009, 第 1 作者, 专利号: ZL200610109561.0

（ 45 ） 一种金属纳米晶薄膜的制备方法, 2009, 第 1 作者, 专利号: ZL 200610109562.5

（ 46 ） 采用正性电子抗蚀剂制备属纳米电极的方法, 2009, 第 1 作者, 专利号: ZL200510130438.2

（ 47 ） 一种SOI基顶栅单电子晶体管及其制备方法, 2009, 第 1 作者, 专利号: ZL200610112107.0

（ 48 ） 一种SOI基顶栅单电子晶体管及其制备方法, 2009, 第 1 作者, 专利号: ZL200610109563.X

（ 49 ） 一种用于交叉阵列结构存储器的整流器件, 2009, 第 3 作者, 专利号: ZL200910083500.5

（ 50 ） 多功能离子束溅射与刻蚀设备, 2009, 第 1 作者, 专利号: 200910083508.1

（ 51 ） 一种纳米级库仑岛的制备方法, 2009, 第 1 作者, 专利号: ZL200610012129.X

（ 52 ） 一种用于测试阻变存储器性能指标的限流电路, 2009, 第 2 作者, 专利号: ZL200910077527.3

（ 53 ） 一种用负性电子抗蚀剂制备纳米电极的方法, 2008, 第 1 作者, 专利号: ZL200610003531.1

   

（1） Review of deep ultraviolet photodetector based on gallium oxide, Chin. Phys. B, 2019, 通讯作者
（2） Characterization of the inhomogeneous barrier distribution in a Pt/(100)β-Ga2O3 Schottky diode via its temperature-dependent electrical properties, AIP Advances, 2018, 通讯作者
（3） Schottky Barrier Rectifier Based on (100) β-Ga2O3 and its DC and AC Characteristics, IEEE Electron Device Letters, 2018, 通讯作者
（4） Source-Field-Plated β-Ga2O3 MOSFET with Record Power Figure of Merit of 50.4 MW/cm2, IEEE Electron Device Letters, 2018, 通讯作者
（5） C-V and J-V investigation of HfO2/Al2O3 bilayer dielectrics MOSCAPs on (100) β-Ga2O3, AIP Advances, 2018, 通讯作者
（6） An overview of the ultrawide bandgap Ga₂O₃ semiconductor based Schottky barrier diode for power electronics application, Nanoscale Research Letters, 2018, 通讯作者
（7） Progress of power field effect transistor based on ultra-wide bandgap Ga2O3 semiconductor material, Journal of Semiconductor, 2018, 通讯作者
（8） Breaking the Current-Retention Dilemma in Cation-Based Resistive Switching Devices Utilizing Graphene with Controlled Defects, Advanced Materials, 2018, 其他（合作组作者）
（9） Recommended Methods to Study Resistive Switching Devices, Advanced Electronic Materials, 2018, 其他（合作组作者）
（10） Resistive switching performance improvement via modulating nanoscale conductive filament, involving the application of two-dimensional layered materials, Small, 2017, 通讯作者
（11） Schottky barrier diode based on β-Ga2O3 (100) single crystal substrate and its temperature-dependent electrical characteristics, Applied Physics Letters, 2017, 通讯作者
（12） Investigation on the Conductive Filament Growth Dynamics in Resistive Switching Memory via a Universal Monte Carlo Simulator, Scientific Reports, 2017, 通讯作者
（13） A cell-based clustering model for the reset statistics in RRAM, Applied Physics Letters, 2017, 通讯作者
（14） Correlation analysis between the current fluctuation characteristics and the conductive filament morphology of HfO2-based memristor, Applied Physics Letters, 2017, 通讯作者
（15） Anisotropic magnetoresistance of nano-conductive filament in Co/HfO2/Pt resistive switching memory, Nanoscale Research Letters, 2017, 通讯作者
（16） Reprogrammable logic in memristive crossbar for in-memory computing, Journal of Physics D-Applied Physics, 2017, 通讯作者
（17） 新型阻变存储器的物理研究与产业化前景, 物理, 2017, 通讯作者
（18） Nonvolatile reconfigurable sequential logic in a HfO2 resistive random access memory array, Nanoscale, 2017, 第 8 作者
（19） Confining Cation Injection to Enhance CBRAM Performance by Nanopore Graphene Layer, Small, 2017, 第 8 作者
（20） Highly uniform and nonlinear selection device based on trapezoidal band structure for high density nanocrossbar memory array, Nano Research, 2017, 第 6 作者
（21） Complementary Switching in 3D Resistive Memory Array, Advanced Electronic Materials, 2017, 第 5 作者
（22） Graphene and Related Materials for Resistive Random Access Memories, Advanced Electronic Materials, 2017, 第 3 作者
（23） Uniformity and Retention Improvement of TaOx based Conductive Bridge Random Access Memory by CuSiN Interfacial Layer Engineering, IEEE Electron Device Letters, 2017, 第 8 作者
（24） Improvement of Device Reliability by Introducing a BEOL-Compatible TiN Barrier Layer in CBRAM, IEEE Electron Device Letters, 2017, 第 10 作者
（25） Emulating short-term and long-term plasticity of bio-synapse based on Cu/a-Si/Pt Memristor, IEEE Electron Device Letters, 2017, 第 10 作者
（26） Crystal that remembers: Several ways to utilize nanocrystals in resistive switching memory, Journal of Physics D-Applied Physics, 2017, 第 3 作者
（27） Electronic imitation of behavioral and psychological synaptic activities by the TiOx/Al2O3-based memristor devices, Nanoscale, 2017, 第 4 作者
（28） Analysis on the filament structure evolution in reset transition of Cu/HfO2/Pt RRAM device, Nanoscale Research Letters, 2016, 通讯作者
（29） Highly scalable resistive switching memory in metal nanowire crossbar arrays fabricated by electron beam lithography, J. Vac. Sci. Technol. B, 2016, 通讯作者
（30） Boron nitride as two dimensional dielectric: Reliability and dielectric breakdown, Applied Physics Letters, 2016, 第 4 作者
（31） Analysis on the filament structure evolution in reset transition of Cu/HfO2/Pt RRAM device, Nanoscale Research Letters, 2016, 通讯作者
（32）  Improving resistance uniformity and endurance of resistive switching memory by accurately controlling the stress time of pulse program operation, Applied Physics Letters, 2015, 通讯作者
（33） Impact of program/erase operation on the performances of oxide-based resistive switching memory, Nanoscale Research Letters, 2015, 通讯作者
（34） Conductance quantization in resistive random access memory, Nanoscale Research Letters, 2015, 通讯作者
（35） A physical model for the statistics of the set switching time of resistive RAM measured with the width-adjusting pulse operation method, IEEE Electron Device Letters, 2015, 通讯作者
（36） Set statistics in CBRAM device with Cu/HfO2/Pt structure, Applied Physics Letters, 2014, 通讯作者
（37）  Statistical characteristics of reset switching in Cu/HfO2/Pt resistive switching memory, Nanoscale Research Letters, 2014, 通讯作者
（38） Thermoelectric Seebeck effect in oxide-based resistive switching memory, Nature Communications, 2014, 第 4 作者
（39） Direct observation of conversion between threshold switching and memory switching induced by conductive filament morphology, Advanced Functional Materials, 2014, 第 4 作者
（40） An overview of the switching parameter variation of RRAM, Chinese Science Bulletin, 2014, 通讯作者
（41） The operation methods of resistive random access memory, SCIENCE CHINA Technological Sciences, 2014, 通讯作者
（42） Three-state resistive switching in HfO2-based RRAM, Solid-State Electronics, 2014, 第 3 作者
（43） Voltage and power-controlled regimes in the progressive unipolar RESET transition of HfO2-Based RRAM, Scientific Reports, 2013, 第 1 作者
（44） Quantum-size effects in hafnium-oxide resistive switching, Applied Physics Letters, 2013, 第 1 作者
（45） Cycle-to-cycle intrinsic RESET statistics in HfO2-based unipolar RRAM devices, IEEE Electron Device Letters, 2013, 第 1 作者
（46） A model for the set statistics of RRAM inspired in the percolation model of oxide breakdown, IEEE Electron Device Letters, 2013, 第 1 作者
（47）  Compact analytical models for the SET and RESET switching statistics of RRAM inspired in the cell-based percolation model of gate dielectric breakdown, The 2013 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS2013), 2013, 第 1 作者
（48） Investigation on the RESET switching mechanism of bipolar Cu/HfO2/Pt RRAM devices with a statistical methodology, Journal of Physics D: Applied Physics, 2013, 通讯作者
（49） Bipolar one diode-one resistor integration for high-density resistive memory applications, Nanoscale, 2013, 第 4 作者
（50） Overcoming the dilemma between RESET current and data retention of RRAM by lateral dissolution of conducting filament, IEEE Electron Device Letters, 2013, 第 4 作者
（51） Analysis and modeling of resistive switching statistics, Journal of Applied Physics, 2012, 第 1 作者
（52） Real-Time Observation on Dynamic Growth/Dissolution of Conductive Filaments in Oxide-Electrolyte-Based ReRAM, Advanced Materials, 2012, 第 4 作者
（53） Cell-based models for the switching statistics of RRAM, 11th Non-Volatile Memory Technology Symposium (NVMTS 2011), 2011, 第 1 作者
（54） Improved Resistive Switching Uniformity in Cu/HfO2/Pt Devices by Using Current Sweeping Mode, IEEE Electron Device Letters, 2011, 第 4 作者
（55） Improvement of resistive switching characteristics in ZrO2 film by embedding a thin TiOx layer, Nanotechnology, 2011, 第 2 作者
（56） Progress in rectifying-based RRAM passive crossbar array, SCIENCE CHINA Technological Sciences, 2011, 通讯作者
（57） Reset Statistics of NiO-Based Resistive Switching Memories, IEEE Electron Device Letters, 2011, 第 1 作者
（58） Resistive Switching Mechanism of Ag/ZrO2:Cu/Pt Memory Cell, Applied Physics A, 2011, 第 1 作者
（59） Reset Instability in Cu/ZrO2:Cu/Pt RRAM Device, IEEE Electron Device Letters, 2011, 第 2 作者
（60） Investigation of resistive switching in Cu-doped HfO2 thin film for multilevel non-volatile memory applications, Nanotechnology, 2010, 第 3 作者
（61） Resistive Switching Mechanism of Cu Doped ZrO2-Based RRAM, International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology (ICSICT 2010), 2010, 第 1 作者
（62） Controllable Growth of Nanoscale Conductive Filaments in Solid-Electrolyte-Based ReRAM by Using a Metal Nanocrystal Covered Bottom Electrode, ACS Nano, 2010, 第 2 作者
（63） Low Power and Highly Uniform Switching in ZrO2-based ReRAM with A Cu Nanocrystal Insertion Layer, IEEE Electron Device Letters, 2010, 第 2 作者
（64） ZrO2-based memory cell with a self-rectifying effect for crossbar WORM memory application, IEEE Electron Device Letters, 2010, 第 2 作者
（65） Resistive switching properties of Au/ZrO2/Ag structure for low voltage nonvolatile memory applications, IEEE Electron Device Letters, 2010, 第 2 作者
（66） Self-rectifying effect in gold nanocrystal-embedded zirconium oxide resistive memory, Journal of Applied Physics, 2009, 第 2 作者
（67） Improvement of Resistive Switching Properties in ZrO2-based ReRAM with Implanted Ti Ions, IEEE Electron Device Letters, 2009, 第 2 作者
（68） Formation of multiple conductive filaments in the Cu/ZrO2:Cu/Pt device, Applied Physics Letters, 2009, 第 4 作者
（69） Resistive switching memory effect of ZrO2 films with Zr+ implanted, Applied Physics Letters, 2008, 第 3 作者
（70） On the resistive switching mechanisms of Cu/ZrO2:Cu/Pt, Applied Physics Letters, 2008, 第 3 作者
（71） Nonpolar nonvolatile resistive switching in Cu doped ZrO2, IEEE Electron Devices Letters, 2008, 第 2 作者
（72） Fabrication and charging characteristics of MOS capacitor structure with metal nanocrystals embedded in gate oxide, Journal of Physics D: Applied Physics, 2007, 第 2 作者
（73） Modeling of Retention Characteristics for Metal and Semiconductor Nanocrystal Memories, Solid State Electronics, 2007, 第 2 作者
（74） Nonvolatile resistive switching memory utilizing gold nanocrystals embedded in zirconium oxide, Applied Physics Letters, 2007, 第 2 作者

（ 1 ） 《新型阻变存储技术》, Novel reisitive switching memory, 科学出版社, 2014-08, 第 2 作者
（ 2 ） 《半导体科学与技术》中的第20章《新型非挥发性存储器》, 科学出版社, 2017-08, 第 2 作者

   

（ 1 ） 32nm RRAM关键工艺和技术, 负责人, 国家任务, 2009-01--2011-12
（ 2 ） 离子束溅射与刻蚀系统, 负责人, 中国科学院计划, 2008-10--2010-09
（ 3 ） 基于二元金属氧化物的阻变存储器, 负责人, 国家任务, 2009-05--2011-12
（ 4 ） 掺杂提高二元金属氧化物电致电阻转变性能的作用机理研究, 负责人, 国家任务, 2010-01--2012-12
（ 5 ） 新型存储器件及工艺基础研究, 负责人, 国家任务, 2011-01--2015-12
（ 6 ） 新型非挥发性阻变存储器, 负责人, 国家任务, 2014-01--2016-12
（ 7 ） 三维集成高密度阻变存储器基础研究, 负责人, 国家任务, 2013-01--2016-12
（ 8 ） 面向SOC的高性能纳米硅单电子器件研究, 负责人, 国家任务, 2006-07--2008-12
（ 9 ） 纳米尺度硅基集成电路中新材料的基础研究, 负责人, 国家任务, 2006-01--2010-08
（ 10 ） 阻变存储器中的量子各向异性磁电阻效应研究, 负责人, 国家任务, 2016-01--2019-12
（ 11 ） 纳米阻变存储器的三维集成, 负责人, 国家任务, 2016-07--2021-06
（ 12 ） 纳米阻变存储器的机理、表征和应用研究创新交叉团队, 负责人, 中国科学院计划, 2018-01--2020-12
（ 13 ） 超宽禁带氧化镓半导体功率电子器件基础研究, 负责人, 中国科学院计划, 2017-05--2022-05

（1）超宽禁带氧化镓半导体材料和器件发展态势和机遇   第十八届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议   2017-12-19
（2）8-layers 3D Vertical RRAM with Excellent Scalability towards Storage Class Memory Applications   2017-12-06
（3）BEOL Based RRAM with One Extra-mask for Low Cost, Highly Reliable Embedded Application in 28 nm Node and Beyond   2017-12-06
（4）基于(100)β-Ga2O3单晶衬底的肖特基二极管和MOS电容器件   第一届海峡两岸氧化镓及其相关材料与器件研讨会(CSGO2017)   2017-11-19
（5）Schottky barrier diode and MOS capacitor based on (100) β-Ga2O3 single crystal   2017-11-01
（6）Rectification characteristics of Schottky diode fabricated using β-Ga2O3   2017-11-01
（7）Investigation on the interfacial properties between β-Ga2O3 semiconductor and the Al2O3/HfO2 double layer dielectrics through C-V measurement   2017-11-01
（8） Characterization of vertical Pt/(100)β-Ga2O3 Schottky Rectifier from I-V measurements on various temperatures   2017-09-25
（9）Comparison of Al2O3/HfO2 and HfO2/Al2O3 bilayered dielectric MOSCAPs on (100) β-Ga2O3   2017-09-25
（10）基于(100)β-Ga2O3单晶衬底的肖特基势垒二极管功率器件   第21届全国半导体物理学术会议(SPC2017)   2017-07-19
（11）Statistics Analysis of Defect Density on ‘tail bits’ Phenomena in RESET Switching Process of RRAM Devices   2017-07-04
（12）Magnetoresistance of conductive filaments in resistive switching Co/HfO2/Pt structures   2017-07-04
（13）Reliability Issues in Oxide-Electrolyte-Based RRAM   2017-06-13
（14）Dynamic Analysis on Three-Stage Evolution in SET Switching Process of RRAM Devices   2017-06-13
（15）Superior Uniformity with Localized Nanofilaments Limited by Subulate-Structured Electrode in RRAM   2017-06-13
（16）The Statistics of Set Time of Oxide-based Resistive Switching Memory   5. Meiyun Zhang, Shibing Long*, Guoming Wang, Zhaoan Yu, Yang Li, Dinglin Xu, Hangbing Lv, Qi Liu,Enrique Miranda, Jordi Suñé and Ming Liu   2016-07-20
（17）Current compliance impact on the instability of HfO2-based RRAM devices   6. Meiyun Zhang, Shibing Long*, Yang Li, Qi Liu, Hangbing Lv, Jordi Suñé, and Ming Liu   2016-06-12
（18）Metal Nanowire Arrays Scaling down to 10-nm Width Fabricated by Electron Beam Lithography and Their Application in High-Density Crossbar Resistive Switching Memory   15. Jiebin Niu, Yang Li, Shibing Long*, Hangbing Lv, Qi Liu, Ming Liu   2015-07-15
（19）Justification and Monte Carlo Simulation of Microstructure Evolution Process of Conductive Filament in Reset Transition in Cu/HfO2/Pt RRAM   12. Meiyun Zhang, Shibing Long,* Guoming Wang, Xiaoxin Xu, Yang Li, Qi Liu, Hangbing Lv, Haitao Sun, and Ming Liu   2015-07-01