基本信息
樊中朝  男  博导  中国科学院半导体研究所
电子邮件: zcfan@semi.ac.cn
通信地址: 半导体所3#303
邮政编码: 100083

招生信息

   
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
085400-电子信息
招生方向
宽禁带电力电子器件研究
新型光波导器件研究
半导体加工技术及其应用

教育背景

2001-09--2004-06   中国科学院半导体研究所   博士
1998-09--2001-04   北方交通大学光电子所   硕士

工作经历

   
工作简历
2004-06~现在, 中国科学院半导体研究所, 集成技术中心
2001-09~2004-06,中国科学院半导体研究所, 博士
1998-09~2001-04,北方交通大学光电子所, 硕士

教授课程

新型微纳电子器件
半导体微纳加工技术
集成光子器件基础
半导体纳米电子学基础

专利与奖励

   
专利成果
( 1 ) 用于半导体衬底样片的划片装置, 2022, 第 4 作者, 专利号: 202210002723.X

( 2 ) 高雪崩耐量的碳化硅JBS结构及制备方法, 2020, 第 4 作者, 专利号: CN111477689A

( 3 ) 适用于高能激光的连续衰光装置, 2020, 第 4 作者, 专利号: CN111474703A

( 4 ) 激光辅助无掩膜高深宽比碳化硅深槽孔结构制备方法, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN109659220A

( 5 ) 一种GaN基异质结二极管及其制备方法, 2018, 第 4 作者, 专利号: CN107978642A

( 6 ) 一种H 2 微刻蚀进行碳化硅离子激活的方法, 2018, 第 6 作者, 专利号: CN104538290B

( 7 ) 一种通过激光刻蚀碳化硅制备碳化硅超结结构的方法, 2016, 第 6 作者, 专利号: CN105529246A

( 8 ) 一种利用金属材料扩散互溶实现硅-硅键合的方法, 2015, 第 7 作者, 专利号: CN105197881A

( 9 ) 一种去除碳化硅等离子体刻蚀形成的刻蚀损伤层的方法, 2015, 第 6 作者, 专利号: CN104599952A

( 10 ) 一种碳化硅欧姆接触电极及其制作方法, 2015, 第 12 作者, 专利号: CN104538294A

( 11 ) 一种H 2 微刻蚀进行碳化硅离子激活的方法, 2015, 第 6 作者, 专利号: CN104538290A

( 12 ) 一种新型GaN基增强型HEMT器件及其制备方法, 2015, 第 5 作者, 专利号: CN104465748A

( 13 ) 一种新型GaN基增强型HEMT器件及其制备方法, 2015, 第 5 作者, 专利号: CN104393045A

( 14 ) 一种氮化镓异质结肖特基二极管及其制备方法, 2014, 第 4 作者, 专利号: CN104091835A

( 15 ) GaN基发光二极管的制备方法, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN103956415A

( 16 ) 一种制备低反射率蓝宝石图形衬底的方法, 2014, 第 2 作者, 专利号: CN103579424A

( 17 ) ICP干法刻蚀工艺制备剖面为正梯形的台面的方法, 2013, 第 3 作者, 专利号: CN103258730A

( 18 ) 蓝宝石图形衬底的制备方法, 2013, 第 5 作者, 专利号: CN103219437A

( 19 ) 沟道型碳化硅肖特基二极管及其制作方法, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102723357A

( 20 ) 用于太阳电池表面抗反射的蛾眼结构的制备方法, 2011, 第 2 作者, 专利号: CN102097535A

( 21 ) 高提取效率氮化镓发光二极管的制作方法, 2011, 第 2 作者, 专利号: CN102064242A

( 22 ) 一种复合膜片压力传感器结构, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101726384A

( 23 ) SOI亚微米脊型光波导倒锥耦合器免刻蚀氧化制作方法, 2010, 第 4 作者, 专利号: CN101710195A

( 24 ) 用于氮化物外延生长的纳米级图形衬底的制作方法, 2010, 第 3 作者, 专利号: CN100587919C

( 25 ) Method for manufacturing a GaN based LED of a black hole structure, 2007, 第 5 作者, 专利号: US7285431(B2)

( 26 ) 基于脊形光波导的强限制多模干涉耦合器的制作方法, 2006, 第 1 作者, 专利号: CN1284988C

( 27 ) 一种新截面形状的绝缘体上硅脊形光波导及其制作方法, 2005, 第 1 作者, 专利号: CN1629663A

出版信息

   
发表论文
(1) Characteristics of Activation Rate and Damage of Ion-Implanted Phosphorous in 4H-SiC after Different Annealing by Optical Absorption, MICROMACHINES, 2022, 通讯作者
(2) Study of Vertical Capacitance in an n-Type 4H-SiC Stepped Thick-Oxide Trench MOS Structure, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2022, 通讯作者
(3) Low-Temperature Direct Bonding of SiC to Si via Plasma Activation, APPLIED SCIENCES-BASEL, 2022, 通讯作者
(4) High-performance and compact integrated photonics platform based on silicon rich nitride–lithium niobate on insulator, APL PHOTONICS, 2021, 第 4 作者
(5) C-band four-channel CWDM (de-)multiplexers on a thin film lithium niobate-silicon rich nitride hybrid platform, OPTICS LETTERS, 2021, 第 6 作者
(6) On-chip four-mode (de-)multiplexer on thin film lithium niobate-silicon rich nitride hybrid platform, OPTICS LETTERS, 2021, 第 7 作者
(7) Pulsed Laser Annealing of Phosphorous-Implanted 4H-SiC: Electrical and Structural Characteristics, JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, 2021, 通讯作者
(8) A review of manufacturing technologies for silicon carbide superjunction devices, Journal of Semiconductors, 2021, 通讯作者
(9) Extraction of the Trench Sidewall Capacitances in an n-Type 4H-SiC Trench Metal-Oxide-Semiconductor Structure, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2021, 通讯作者
(10) TE/TM-pass polarizers based on lateral leakage in a thin film lithium niobate-silicon nitride hybrid platform (vol 45, 4915, 2020), OPTICS LETTERS, 2020, 第 7 作者
(11) TE/TM-pass polarizers based on lateral leakage in a thin film lithium niobate–silicon nitride hybrid platform, OPTICS LETTERS, 2020, 第 7 作者
(12) Efficient grating couplers on a thin film lithium niobate–silicon rich nitride hybrid platform, OPTICS LETTERS, 2020, 第 6 作者
(13) A Silicon Spatial Light Modulator Unit With High Extinction Ratios in C Band, IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS, 2020, 通讯作者
(14) Amorphous-InGaZnO Thin-Film Transistors Operating Beyond 1 GHz Achieved by Optimizing the Channel and Gate Dimensions, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2018, 第11作者
(15) Piezoelectricity in two dimensions: Graphene vs. molybdenum disulfide, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2017, 第 5 作者
(16) The study of the contribution of the surface and bulk traps to the dynamic Rdson in AlGaN/GaN HEMT by light illumination, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2016, 第 4 作者
(17) AlGaN/GaN 功率器件缓冲层陷阱的分析方法, Analysis Methods of the Traps in the Buffer Layer in AlGaN/GaN Power Devices, 半导体技术, 2016, 第 4 作者
(18) The Cu Based AlGaN/GaN Schottky Barrier Diode, The Cu Based AlGaN/GaN Schottky Barrier Diode, 中国物理快报:英文版, 2015, 第 3 作者
(19) The Cu Based AlGaN/GaN Schottky Barrier Diode, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2015, 第 3 作者
(20) The thermal stability study and improvement of 4H-SiC ohmic contact, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2014, 第11作者
(21) AlGaN/GaN Schottky Diode Fabricated by Au Free Process, ELECTRON DEVICE LETTERS, IEEE, 2013, 第 3 作者
(22) High-performance 4H-SiC junction barrier Schottky diodes with double resistive termination extensions, CHINESE PHYSICS B, 2013, 第 6 作者
(23) AlGaN/GaN Schottky Diode Fabricated by Au Free Process, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2013, 第 3 作者
(24) A Self-Aligned Process to Fabricate a Metal Electrode-Quantum Dot/Nanowire-Metal Electrode Structure with 100% Yield, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2012, 第 3 作者
(25) A Compact and Highly Efficient Silicon-Based Asymmetric Mach—Zehnder Modulator with Broadband Spectral Operation, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2011, 第 5 作者
(26) A large bandwidth photonic delay line using passive cascaded silicon-on-insulator microring resonators, CHINESE PHYSICS B, 2011, 第 5 作者
(27) 低损伤ICP刻蚀技术提高GaN LED出光效率, Extraction Efficiency of GaN LEDs Improved by Low Damage ICP Etching Technique, 微纳电子技术, 2011, 第 4 作者
(28) Fabrication of biomimic gaas subwavelength grating structures for broadband and angular-independent antireflection, MICROELECTRONICENGINEERING, 2011, 第 2 作者
(29) Cmos compatible highly efficient grating couplers with a stair-step blaze profile, CHINESE PHYSICS B, 2011, 第 5 作者
(30) Research on SOI-based micro-resonator devices, PROC. OF SPIE, 2010, 第 8 作者
(31) Research on SOI-based micro-resonator devices, PROCEEDINGS OF SPIE-THE INTERNATIONAL SOCIETY FOR OPTICAL ENGINEERING VOL.7847, 2010, 
(32) Selective and lithography-independent fabrication of 20 nm nano-gap electrodes and nano-channels for nanoelectrofluidics applications, NANOTECHNOLOGY, 2010, 
(33) Algainas-inp microcylinder lasers connected with an output waveguide, IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS, 2010, 第 8 作者
(34) Pseudo-Rhombus-Shaped Subwavelength Crossed Gratings of GaAs for Broadband Antireflection, Pseudo-Rhombus-Shaped Subwavelength Crossed Gratings of GaAs for Broadband Antireflection, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2010, 第 2 作者
(35) High efficiency and broad bandwidth grating coupler between nanophotonic waveguide and fibre, CHINESE PHYSICS B, 2010, 第 6 作者
(36) Fabrication and optical optimization of spot-size converters with strong cladding layers, JOURNALOFOPTICSAPUREANDAPPLIEDOPTICS, 2009, 第 3 作者
(37) 红光GaInP/AlGaInP正方形微腔激光器, Red GaInP/AlGaInP square microcavity lasers, 光电子.激光, 2009, 第 5 作者
(38) Lithography-independent and large scale fabrication of a metal electrode nanogap, Lithography-independent and large scale fabrication of a metal electrode nanogap, 半导体学报, 2009, 第 5 作者
(39) Finite element beam propagation method for analysis of plasmonic waveguide, Finite element beam propagation method for analysis of plasmonic waveguide, 中国光学快报:英文版, 2008, 第 3 作者
(40) Directional emission inp/gainasp square-resonator microlasers, OPTICS LETTERS, 2008, 第 6 作者
(41) Design, fabrication and characterization of a high-performance microring resonator in silicon-on-insulator, CHINESE PHYSICS B, 2008, 第 6 作者
(42) Design, fabrication and characterization of a high-performance microring resonator in silicon-on-insulator, Design, fabrication and characterization of a high-performance microring resonator in silicon-on-insulator, 中国物理:英文版, 2008, 第 6 作者
(43) Improved Light Extraction of GaN-based LEDs with Nano-roughened p-GaN Surfaces, Improved Light Extraction of GaN-based LEDs with Nano-roughened p-GaN Surfaces, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2008, 第 3 作者
(44) Improved Light Extraction of GaN-based LEDs with Nano-roughened p-GaN Surfaces, Improved Light Extraction of GaN-based LEDs with Nano-roughened p-GaN Surfaces, 中国物理快报:英文版, 2008, 第 3 作者
(45) Design, fabrication, and characterization of an ultracompact low-loss photonic crystal corner mirror, IEEE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS, 2007, 第 4 作者
(46) Continuous-wave electrically injected InP/GaInAsP equilateral-triangle-resonator lasers, ICTON 2007 PROCEEDINGS OF THE 9TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON TRANSPARENT OPTICAL NETWORKS, 2007, 
(47) 硅基微纳光子器件制备工艺问题及解决方案, Challenges and Solution of Fabrication Techniques for Silicon-Based Nano-Photonics Devices, 半导体学报, 2007, 第 4 作者
(48) Realization of an ultracompact low-loss photonic crystal corner mirror, IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS, 2007, 第 3 作者
(49) 感应耦合等离子体刻蚀InP/InGaAsP二维光子晶体结构的研究, Inductively coupled plasma etching of two-dimensional InP/InGaAsP.based photonic crystal, 物理学报, 2007, 第 4 作者
(50) Room-temperature continuous-wave electrically injected inp-gainasp equilateral-triangle-resonator lasers, IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS, 2007, 第 6 作者
(51) Inductively coupled plasma etching of two-dimensional InP/InGaAsP-based photonic crystal, ACTA PHYSICA SINICA, 2007, 第 4 作者
(52) 微纳加工技术在光电子领域的应用, Application of nanofabrication to optoelectronics, 物理, 2006, 第 2 作者
(53) SOI光波导和集成波导光开关矩阵, Silicon-on-Insulator Based Optical Waveguide and Integrated Switch Matrix, 半导体学报, 2005, 第 6 作者
(54) SOI波导弯曲损耗改善方法的研究, 红外与毫米波学报, 2005, 第 4 作者
(55) 热氧化方法改善硅干法刻蚀波导的表面粗糙度, 半导体学报, 2004, 第 3 作者
(56) SOI热光4×4光开关阵列的研制, 半导体学报, 2004, 第 2 作者
(57) SOI热光4×4光开关阵列的研制, Design and Fabrication of Thermo-Optic 4×4 Switching Matrix in Silicon-on-Insulator, 半导体学报, 2004, 第 2 作者
(58) SOI光波导器件和集成光开关矩阵的研究进展, 中国科学. E辑, 技术科学, 2004, 第 5 作者
(59) SOI热光调制器, 半导体学报, 2004, 第 2 作者
(60) SOI通道转换型多模干涉耦合器的研究, Fabrication of a SOI Based Channel-shifted Multimode Interference Coupler, 光子学报, 2004, 第 2 作者
(61) ICP刻蚀参数对SOI脊形波导侧壁粗糙度的影响, 半导体学报, 2004, 第 1 作者
(62) SOI通道转换型多模干涉耦合器的研究, 光子学报, 2004, 第 2 作者
(63) ICP刻蚀技术及其在SOI波导器件制作中的应用, 2004, 第 1 作者
(64) SOI光波导器件和集成光开关矩阵的研究进展, 中国科学:E辑, 2004, 第 5 作者
(65) PVK的光致发光在电场下的猝灭, 光电子·激光, 2001, 第 3 作者
(66) 单模光纤中超快受激拉曼散射的反斯托克斯波, 光散射学报, 2000, 第 2 作者

科研活动

   
科研项目
( 1 ) 硅基微纳光波导传输与单片光电集成技术, 参与, 国家任务, 2006-07--2011-07
( 2 ) 高效氮化物LED材料及芯片关键技术, 参与, 国家任务, 2009-08--2011-11
( 3 ) 设备功能开发技术创新项目, 负责人, 中国科学院计划, 2012-01--2013-06
( 4 ) 蓝宝石图形衬底关键工艺技术研究 , 负责人, 国家任务, 2012-01--2013-12
( 5 ) 用于400Gb/s相干光通信系统的DP-16QAM光调制器模块, 参与, 国家任务, 2013-01--2015-12
( 6 ) 功率器件用硅基GaN外延片研究, 参与, 地方任务, 2013-07--2015-06
( 7 ) 基于宽禁带电力电子器件的光伏逆变研制及示范中的电力电子器件研究, 负责人, 其他国际合作项目, 2013-01--2015-12
( 8 ) 100G相干集成收发组件项目芯片关键技术, 负责人, 其他国际合作项目, 2013-01--2014-12
( 9 ) 基于6英寸碳化硅衬底的厚膜外延技术研究, 负责人, 国家任务, 2016-07--2022-06
( 10 ) 关键技术人才, 负责人, 中国科学院计划, 2016-01--2018-12
( 11 ) 中压高稳定碳化硅MOSFET 芯片关键工艺及制备技术研究, 负责人, 国家任务, 2017-07--2021-06
( 12 ) SiC超结结构关键工艺研发及器件验证, 负责人, 境内委托项目, 2022-03--2025-02
( 13 ) 激光器制备流程优化验证, 负责人, 境内委托项目, 2022-03--2024-10