基本信息
杨辉  男  博导  中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
电子邮件: hyang2006@sinano.ac.cn
通信地址: 苏州工业园区若水路398号
邮政编码: 215123

招生信息

   
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
招生方向
光电子材料与器件
新型半导体材料和器件研究

教育背景

1986-07--1991-01   中国科学院半导体研究所   博士研究生
1982-09--1985-06   中国科学院半导体研究所   硕士研究生
1978-09--1982-08   北京大学   本科

工作经历

   
工作简历
2009-10~现在, 中科院苏州纳米所, 所长
2006-04~2009-10,中科院苏州纳米所, 筹建组组长
2002-11~2006-04,中科院半导体所, 副所长
2002-01~2002-11,中科院半导体所, 所长助理
2000-01~2002-01,中科院半导体所国家光电子工艺中心, 主任
1996-04~1999-12,中国科学院半导体研究所, 副研究员、研究员
1993-04~1996-03,德国Paul-Drude-Institute研究所, 博士后、客座研究员
1991-09~1993-03,中国科学院半导体研究所, 副研究员、超薄层材料课题组组长
1986-07~1991-01,中国科学院半导体研究所, 博士研究生
1985-09~1991-08,中国科学院半导体研究所, 工作人员
1982-09~1985-06,中国科学院半导体研究所, 硕士研究生
1978-09~1982-08,北京大学, 本科

专利与奖励

   
奖励信息
(1) 面向全光谱的高效半导体光电材料和器件结构的研究, 三等奖, 省级, 2012
(2) 基于纳米结构的宽光谱高效太阳能电池关键问题研究, 部委级, 2011
专利成果
( 1 ) 一种改善绝缘衬底上纳米阵列结构器件制作的方法, 2015, 第 3 作者, 专利号: 201010196480.5

( 2 ) 倒置生长宽谱吸收III-V多结电池制备方法, 2015, 第 3 作者, 专利号: 201210213314.0

( 3 ) 双面生长高效宽谱吸收多结太阳电池的制备方法, 2015, 第 3 作者, 专利号: 201210213957.5

( 4 ) 背反射式太阳能电池及其制作方法, 2015, 第 2 作者, 专利号: 201210250372.0

( 5 ) GaAs/GaInP双结太阳能电池及其制作方法, 2015, 第 5 作者, 专利号: 201210496057.6

( 6 ) Multiple-junction solar cell, compound semiconductor device, photoelectric conversion element, and compound-semiconductor layer-lamination structure, 2014, 第 4 作者, 专利号: PCT/JP2012/072330, US 2014/0345681 A1

( 7 ) Multiple-junction solar cell, photoelectric conversion device, and compound semiconductor layer- lamination structure, 2014, 第 4 作者, 专利号: PCT/JP2012/072331, US 2014/0345680 A1

( 8 ) 一种等离子激元纳米激光器, 2014, 第 4 作者, 专利号: 201210060948.7

( 9 ) 蓝宝石基新型倒装结构及其用途, 2013, 第 4 作者, 专利号: 201010165583.5

( 10 ) 降低GaN外延生长位错集中的微纳米结构及其应用, 2013, 第 4 作者, 专利号: 201110040708.6

( 11 ) 提高GaN外延材料质量的微纳米结构及其应用, 2013, 第 4 作者, 专利号: 201110064346.4

( 12 ) 一种Ge衬底上生长GaInP化合物半导体的方法, 2013, 第 4 作者, 专利号: 201110198260.0

( 13 ) 基于纳米结构的宽光谱分光器及其制法与用途, 2012, 第 2 作者, 专利号: 200910027565.8

( 14 ) 一种Ⅲ族氮化物纳米阵列结构太阳能电池的制作方法, 2012, 第 3 作者, 专利号: 201010196477.3

( 15 ) 四结GaIn/GaAs/InGaAs/Ge太阳电池的制作方法, 2012, 第 3 作者, 专利号: 201010165596.2

( 16 ) 一种制备三族氮化物衬底的方法, 2011, 第 2 作者, 专利号: 200710023555.8

( 17 ) 在蓝宝石衬底上形成半导体发光二极管管芯的方法, 2004, 第 1 作者, 专利号: 01129516.3

出版信息

   
发表论文
(1) Thermal analysis of gan-based laser diode mini-array, CHINESE PHYSICS B, 2018, 第 9 作者
(2) GaN-Based Blue Laser Diodes With 2.2 W of Light Output Power Under Continuous-Wave Operation, IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS, 2017, 第 10 作者
(3) Asymmetrical quantum well degradation of InGaN/GaN blue laser diodes characterized by photoluminescence, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2017, 第11作者
(4) Optical characterization of InGaN/GaN quantum well active region of green laser diodes, APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2017, 第11作者
(5) Thermal etching rate of GaN during MOCVD growth interruption in hydrogen and ammonia ambient determined by AlGaN/GaN superlattice structures, JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2017, 第 8 作者
(6) Significant increase of quantum efficiency of green InGaN quantum well by realizing step-flow growth, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2017, 第11作者
(7) Suppression of recombination in waveguide in c-plane InGaN-based green laser diodes, SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 2017, 第 13 作者
(8) Design of InP-based metamorphic high-efficiency five-junction solar cells for concentrated photovoltaics, SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2015, 第 2 作者

科研活动

   
科研项目
( 1 ) 纳米真空互联实验站建设, 负责人, 地方任务, 2014-01--2018-12
( 2 ) 蓝光激光器, 负责人, 中国科学院计划, 2013-01--2017-12
( 3 ) 基于半导体激光器的下一代微投影显示全产业链核心关键技术开发, 负责人, 地方任务, 2014-01--2016-12
( 4 ) 苏州纳米科技协同创新中心, 负责人, 国家任务, 2014-01--2017-12
( 5 ) 化合物半导体高效多结太阳能电池材料的MBE生长与器件研制, 负责人, 地方任务, 2012-01--2012-12
( 6 ) 高效多结太阳电池研究, 负责人, 地方任务, 2013-01--2015-12
( 7 ) 纳米真空互联器件制备系统的研究, 负责人, 中国科学院计划, 2014-09--2016-12
( 8 ) “纳米真空互联综合实验站”建设方案调研, 负责人, 中国科学院计划, 2012-06--2013-08